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DRAM Technology & Design Optimization for Sub-10nm and Beyond
Minsoo Yoo,Sulhwan Lee, Aeri Son, Shingyu Choi,Choongki Kim,Kyoungchul Jang, Kangsik Choi,Yongtaik Kim, Weonchul Jeon, Seonsoon Kim, Youngman Cho,Choonhwan Kim, Ilsup Jin,Seonyong Cha, Jonghwan Kim
2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2024)
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A Workfunction Engineered Middle-Silicon-TiN Gate (MSTG) Cell Transistor in 16Gbit DRAM for High Scalability and Long Data Retention
Seong-Wan Ryu,Kyung Kyu Min, Sunghwan Hwang, Hyunmin Seung, Sungsoo Yoon, Yoonjae Nam,Jungmin Moon, Yaeji Kim, Euntae Kim, Jongkook Park,Kyoungchul Jang, Sinwoo Kang, Taekyun Kim,Seonsoon Kim, Ilsup Jin,Seonyong Cha
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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