基本信息
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职业迁徙
个人简介
长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化,合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司,实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文270余篇,引用次数2700次以上,获授权专利30余项(40余项申请中)。
研究兴趣
论文共 381 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
IEEE Electron Device Lettersno. 99 (2024): 1-1
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 99 (2024): 1-8
Applied Thermal Engineeringpp.122479, (2024)
SOLID-STATE ELECTRONICS (2024)
APPLIED THERMAL ENGINEERING (2024): 121820-121820
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 1 (2024): 739-745
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-8
IEEE Transactions on Power Electronicsno. 2 (2024): 1963-1967
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作者统计
合作学者
合作机构
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