基本信息
浏览量:33
职业迁徙
个人简介
研究方向:
(1)先进的小尺寸CMOS集成器件原理、结构、工艺及应用研究
(2)二维层状结构过渡金属硫化物在下一代纳电子/光电子器件中的应用研究
(3)新型非挥发性半导体存储器研究
自2002年开始,一直从事Si、Ge、SiC、GaAs、InGaAs和MoS2 MOS器件高k栅介质及其界面特性的研究、Si基悬浮栅和电荷陷阱型非挥发性存储器的研究以及高k栅介质MOSFET器件物理模型、结构设计及制备工艺。迄今在微电子学领域共发表学术论文200余篇,包括ACS Applied materials & interfaces、IEEE EDL、IEEE TED、APL等。
(1)先进的小尺寸CMOS集成器件原理、结构、工艺及应用研究
(2)二维层状结构过渡金属硫化物在下一代纳电子/光电子器件中的应用研究
(3)新型非挥发性半导体存储器研究
自2002年开始,一直从事Si、Ge、SiC、GaAs、InGaAs和MoS2 MOS器件高k栅介质及其界面特性的研究、Si基悬浮栅和电荷陷阱型非挥发性存储器的研究以及高k栅介质MOSFET器件物理模型、结构设计及制备工艺。迄今在微电子学领域共发表学术论文200余篇,包括ACS Applied materials & interfaces、IEEE EDL、IEEE TED、APL等。
研究兴趣
论文共 477 篇作者统计合作学者相似作者
按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选
时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 2 (2024): 1185-1190
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-7
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 9 (2023): 4892-4898
引用0浏览0引用
0
0
PHYSICAL REVIEW Ano. 2 (2023)
Results in Physics (2023): 106232-106232
NeuroImage (2023): 120225-120225
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2023)
引用0浏览0引用
0
0
加载更多
作者统计
合作学者
合作机构
D-Core
- 合作者
- 学生
- 导师
数据免责声明
页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn