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在宽禁带半导体功率器件及集成电路等领域做出大量原创贡献,包括:研制新型GaN增强型功率器件,性能处于国际领先水平;建立GaN动态阈值电压理论;研制GaN p沟道晶体管,推动GaN CMOS集成电路的发展。在IEDM、EDL、TED、ISPSD等著名学术期刊/会议发表论文130余篇,其中一作/通讯作者论文40余篇,授权/申请专利20余项。
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论文共 192 篇作者统计合作学者相似作者
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IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-6
Junjie Yang,Maojun Wang,Jingjing Yu,Yanlin Wu,Jiawei Cui, Teng Li,Han Yang,Jinyan Wang, Xiaosen Liu,Xuelin Yang,Bo Shen,Jin Wei
IEEE Electron Device Lettersno. 99 (2024): 1-1
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICSno. 2 (2024): 2351-2359
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 99 (2024): 1-6
arxiv(2024)
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Electronicsno. 9 (2024)
IEEE Electron Device Lettersno. 99 (2024): 1-1
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 1 (2024): 484-489
IEEE Journal of the Electron Devices Society (2023): 198-203
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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