基本信息
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职业迁徙
个人简介
2009年全职回国后承担了国家重大科技专项课题: “22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”,带领研发团队成功开发出后高K后金属栅的HKMG关键工艺模块,以及电子束光刻和光学光刻的混合光刻工艺技术。研制的CMOS器件各项技术参数已达到或超过课题合同所要求的技术指标,成品率达到87.6%,在国内是率先研制成功针对22纳米技术代的CMOS器件,同时属国际一流水平。
1)采用后高K、后金属栅的HKMG关键工艺技术,在国内率先成功研制成功针对22纳米技术带的CMOS器件;2)作为“极大规模集成电路关键技术”项目主要完成者,获得了2014年度中国科学院杰出科技成就奖;3)完成了ETSOI 14-16nm技术带先导工艺技术的研究,并获得了原型器件。
研究兴趣
论文共 95 篇作者统计合作学者相似作者
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合作机构
Biosensorsno. 6 (2023): 645-645
2022 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC)pp.1-4, (2022)
2022 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC)pp.1-3, (2022)
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