取得的重要科研成果和获得的奖励情况：

1. 半导体低维电子系统的输运现象及其在新型量子器件方面的应用：研究GaAs/AlAs 双势垒中的 G-C 电子态混合引起的磁隧穿振荡，GaAs/AlGaAs 短周期超晶格中微带输运与Si杂质相关输运之间的一种新Fano共振隧穿机制，朗道能级间的级联共振隧穿现象及THz源应用。

2. 发展了以微制作工艺手段获得金属纳米团簇线的方法，研究金属纳米团簇在室温单电子器件方面的应用；成功制作了小于50纳米的金点接触结，研究金属、Spin-glass纳米点接触相关输运现象，观察到声子谱和杂质相关的零偏压电导异常。

3. 窄禁带稀释磁性半导体微结构的自旋输运：研究HgTe/HgCdMnTe量子阱中Mn相关的Rashba自旋-轨道耦合效应增强现象，HgMnTe磁性二维电子气中Rashba效应、塞曼分裂和交换作用的竞争机制以及奇数填充的反常量子霍尔效应。

4. NiMnSb半金属薄膜材料的自旋输运和TMR器件研究， CoFe/AlO/NiMnSb 器件室温TMR达 8.7%。

5. 研究CMOS图像传感器消除图像拖尾现象、降低噪声的物理机制。

6. 室温工作CMOS太赫兹探测与成像芯片。