基本信息
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职业迁徙
个人简介
刘剑,男,博士,研究员,博士生导师。
主要研究领域或方向:
CMOS太赫兹探测与成像、太赫兹超材料及器件、微纳米结构制作工艺技术。
取得的重要科研成果和获得的奖励情况:
1. 半导体低维电子系统的输运现象及其在新型量子器件方面的应用:研究GaAs/AlAs 双势垒中的 G-C 电子态混合引起的磁隧穿振荡,GaAs/AlGaAs 短周期超晶格中微带输运与Si杂质相关输运之间的一种新Fano共振隧穿机制,朗道能级间的级联共振隧穿现象及THz源应用。
2. 发展了以微制作工艺手段获得金属纳米团簇线的方法,研究金属纳米团簇在室温单电子器件方面的应用;成功制作了小于50纳米的金点接触结,研究金属、Spin-glass纳米点接触相关输运现象,观察到声子谱和杂质相关的零偏压电导异常。
3. 窄禁带稀释磁性半导体微结构的自旋输运:研究HgTe/HgCdMnTe量子阱中Mn相关的Rashba自旋-轨道耦合效应增强现象,HgMnTe磁性二维电子气中Rashba效应、塞曼分裂和交换作用的竞争机制以及奇数填充的反常量子霍尔效应。
4. NiMnSb半金属薄膜材料的自旋输运和TMR器件研究, CoFe/AlO/NiMnSb 器件室温TMR达 8.7%。
5. 研究CMOS图像传感器消除图像拖尾现象、降低噪声的物理机制。
6. 室温工作CMOS太赫兹探测与成像芯片。
主要研究领域或方向:
CMOS太赫兹探测与成像、太赫兹超材料及器件、微纳米结构制作工艺技术。
取得的重要科研成果和获得的奖励情况:
1. 半导体低维电子系统的输运现象及其在新型量子器件方面的应用:研究GaAs/AlAs 双势垒中的 G-C 电子态混合引起的磁隧穿振荡,GaAs/AlGaAs 短周期超晶格中微带输运与Si杂质相关输运之间的一种新Fano共振隧穿机制,朗道能级间的级联共振隧穿现象及THz源应用。
2. 发展了以微制作工艺手段获得金属纳米团簇线的方法,研究金属纳米团簇在室温单电子器件方面的应用;成功制作了小于50纳米的金点接触结,研究金属、Spin-glass纳米点接触相关输运现象,观察到声子谱和杂质相关的零偏压电导异常。
3. 窄禁带稀释磁性半导体微结构的自旋输运:研究HgTe/HgCdMnTe量子阱中Mn相关的Rashba自旋-轨道耦合效应增强现象,HgMnTe磁性二维电子气中Rashba效应、塞曼分裂和交换作用的竞争机制以及奇数填充的反常量子霍尔效应。
4. NiMnSb半金属薄膜材料的自旋输运和TMR器件研究, CoFe/AlO/NiMnSb 器件室温TMR达 8.7%。
5. 研究CMOS图像传感器消除图像拖尾现象、降低噪声的物理机制。
6. 室温工作CMOS太赫兹探测与成像芯片。
研究兴趣
论文共 114 篇作者统计合作学者相似作者
按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选
时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
Electronicsno. 3 (2024): 472
arxiv(2024)
引用0浏览0引用
0
0
MEASUREMENT SCIENCE AND TECHNOLOGYno. 3 (2024)
ELECTRONICSno. 3 (2024)
Yongliang Xiong, Yihao Yang,Qianli Ma,Yangming Ren,Leliang Li,Guike Li,Jian Liu ,Yingtao Li,Binhao Wang,Nan Qi,Liyuan Liu
2023 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA)pp.186-187, (2023)
JOURNAL OF ELECTRONIC IMAGINGno. 6 (2023)
2023 IEEE International Solid- State Circuits Conference (ISSCC)pp.86-88, (2023)
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合作学者
合作机构
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- 学生
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