基本信息
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职业迁徙
个人简介
参加了大连理工常州研究院有限公司和大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室联合申请的常州市重大公共技术服务平台—“材料表面工程技术与装备创新服务平台”建设。
1994年和2000年作为主要参与者,先后完成了两代电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)设备的设计和建造工作;2007年1月至6月作为项目负责人为北京一公司设计建造了ECR-PEMOCVD设备,并提供了氮化硅薄膜的室温沉积工艺。
2005年1月至2007年12月作为项目负责人完成了两项国家自然基金项目和一项辽宁省教育厅项目。1996年今,作为主要参加者还参与了氮化镓(GaN)基半导体材料PEMOCVD低温生长方面的五项国家自然科学基金项目、一项国家八六三项目(No.715-011-0033)和一项国家重大基础研究(973)专项项目等, 在ECR-PEMOCVD设备的设计制造、GaN薄膜的低温生长及光电特性研究方面有扎实的理论基础和丰富的实践经验。
研究方向
氮化镓(GaN)薄膜在金属衬底上的等离子体增强低温生长研究
石墨烯改性金属衬底上的GaN低温生长研究
二硫化钼(MoS2)薄膜的生长及后续GaN薄膜的低温生长研究
1994年和2000年作为主要参与者,先后完成了两代电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)设备的设计和建造工作;2007年1月至6月作为项目负责人为北京一公司设计建造了ECR-PEMOCVD设备,并提供了氮化硅薄膜的室温沉积工艺。
2005年1月至2007年12月作为项目负责人完成了两项国家自然基金项目和一项辽宁省教育厅项目。1996年今,作为主要参加者还参与了氮化镓(GaN)基半导体材料PEMOCVD低温生长方面的五项国家自然科学基金项目、一项国家八六三项目(No.715-011-0033)和一项国家重大基础研究(973)专项项目等, 在ECR-PEMOCVD设备的设计制造、GaN薄膜的低温生长及光电特性研究方面有扎实的理论基础和丰富的实践经验。
研究方向
氮化镓(GaN)薄膜在金属衬底上的等离子体增强低温生长研究
石墨烯改性金属衬底上的GaN低温生长研究
二硫化钼(MoS2)薄膜的生长及后续GaN薄膜的低温生长研究
研究兴趣
论文共 128 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
crossref(2024)
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE (2024)
Nanotechnologyno. 23 (2023): 235703-235703
引用0浏览0引用
0
0
ACS applied materials & interfacesno. 14 (2023): 18537-18549
APPLIED SURFACE SCIENCE (2022): 152461-152461
CHINESE PHYSICS Bno. 11 (2022)
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