基本信息
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个人简介
研究领域为宽禁带半导体材料和器件,研究定位为满足国家重大需求的关键材料和器件(芯片)研发。本人长期从事III-族氮化物宽禁带半导体材料和器件研究,近年来主要开展 AlGaN 基深紫外发光材料大失配异质外延和缺陷控制、电导率调控和器件研制,在高质量AlN、高效率AlGaN量子阱以及AlGaN电导率调控研究等方面达到国际先进水平,并在团队支撑下突破了高性能深紫外发光二极管(DUV-LED)器件的关键技术; 近年来,作为负责人承担国家自然科学基金面上项目3项、企业合作横向课题2项;作为子课题负责人参与国家重点研发计划项目2项、北京市科委重点项目1项,山东省重大科技创新工程项目1项和广东省重点研发计划项目1项。
研究兴趣
论文共 208 篇作者统计合作学者相似作者
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Jiaming Wang,Fujun Xu,Lisheng Zhang,Jing Lang,Xuzhou Fang,Ziyao Zhang,Xueqi Guo,Chen Ji, Chengzhi Ji,Fuyun Tan,Xuelin Yang,Xiangning Kang,
JOURNAL OF SEMICONDUCTORSno. 2 (2024)
Advanced Electronic Materials (2024)
APPLIED PHYSICS LETTERSno. 6 (2024)
Applied Physics Lettersno. 15 (2024)
Nature Materialsno. 7 (2023): 853-859
引用2浏览0WOSNATURE引用
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Journal of Applied Physicsno. 12 (2023)
引用0浏览0引用
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AIP ADVANCESno. 3 (2023)
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APPLIED PHYSICS LETTERSno. 4 (2023)
引用0浏览0引用
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APPLIED PHYSICS LETTERSno. 2 (2023)
引用1浏览0引用
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