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High-Performance Operation and Solder Reflow Compatibility in BEOL-Integrated 16-kb HfO 2 : Si-Based 1T-1C FeRAM Arrays
T. Francois,J. Coignus,A. Makosiej,B. Giraud, C. Carabasse, J. Barbot,S. Martin,N. Castellani, T. Magis,H. Grampeix,S. Van Duijn, C. Mounet,
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 4 (2022): 2108-2114
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Methodology for an efficient characterization flow of industrial grade Si-based qubit devices
L. C. Contamin,B. Cardoso Paz,B. Martinez Diaz, B. Bertrand, H. Niebojewski, V. Labracherie, A. Sadik,E. Catapano, M. Casse,E. Nowak,Y. -M. Niquet, F. Gaillard,
2022 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, IEDMpp.22.1.1-22.1.4, (2022)
引用0浏览0EIWOS引用
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16kbit HfO2:Si-based 1T-1C FeRAM Arrays Demonstrating High Performance Operation and Solder Reflow Compatibility
T. Francois,J. Coignus, A. Makosiej,B. Giraud, C. Carabasse, J. Barbot, S. Martin, N. Castellani, T. Magis,H. Grampeix,S. Van Duijn, C. Mounet,
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.33.1.1-33.1.4, (2021)
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16kbit 1T1R OxRAM arrays embedded in 28nm FDSOI technology demonstrating low BER, high endurance, and compatibility with core logic transistors
L. Grenouillet, N. Castellani, A. Persico, V. Meli,S. Martin, O. Billoint, R. Segaud,S. Bernasconi, C. Pellissier,C. Jahan,C. Charpin-Nicolle, P. Dezest,
2021 IEEE International Memory Workshop (IMW)pp.1-4, (2021)
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