基本信息
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职业迁徙
个人简介
1951年毕业于厦门大学电机系,毕业后留校任教。
1953年调浙江大学工作至今。
1954年在国内开始从事温差电材料的研究,跨入了半导体材料这一新兴学科。
1959年开始硅材料研究工作。
1964年在国内首先用硅烷法制成纯硅及高纯硅烷;负责并领导了极高阻硅单晶的研制,并成功地研制出探测器级硅单晶。在硅单晶电学测试方面,进行了新的测试方法和理论研究,提出了双频动态电导法和间歇加热法测试硅材料导电型号;发展了单色红外光电导衰减寿命的测试技术和理论,研制生产了仪器,使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化。
20世纪80年代,首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术,生产出优质低成本硅单晶,开辟了微氮直拉硅单晶基础研究工作。
1991当选为中国科学院院士(学部委员)。
在国内首先开展硅烷法提纯硅的研究,领导研究成功以分子筛吸附生产高纯硅的方法。提出氮气保护直拉硅单晶技术,1986年获国家发明专利。
长期从事半导体材料研究工作,在国内首先开展用硅烷法制备纯硅,驻高纯硅烷的研究。负责并领导高纯极高阻硅单晶的研制,成功地研制出极高阻控测器级硅单晶。在硅单晶电学测试方面,提出双频动态电导法和间歇加热法硅单晶导电类型判别技术。发展了单色红外光电导衰减寿命测试技术和理论,使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化,首先提出用氮作为保护气直拉硅单晶技术。冲破长期以来认为氮与硅在高温下发生化学反应的思想束缚,生产出优质低成本硅单晶。促进并领导CZ--硅中氮杂质基础研究的开展。
阙端麟曾先后任浙江大学电机系实验室主任、无线电系半导体材料与器件教研室副主任、材料科学与工程系副主任、半导体材料研究室主任、半导体材料研究所所长、浙江大学副校长、校务委员会副主任等职。
阙端麟在政府和学术团体中担任的专业职务主要有:浙江省自然科学基金委员会副主任、浙江省学位委员会副主任、浙江省人民政府经济建设咨询委员会委员、中国电子学会电子材料学会专业学会第二届副主任委员、浙江省电子学会第三届副理事长、国务院第二届、第三届学位委员会非金属材料学科评议组成员、国家科委发明委员会特邀评审员、国家自然科学基金委员会半导体学科评审组成员、中国发明协会理事、九三学社浙江省第一届副主任委员等;现任主要职务:九三学社中央常委、浙江省委主任委员,浙江省政协副主席。阙端麟是第六届全国政协委员。
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ECS Meeting Abstractsno. 26 (2008): 1999-1999
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