基本信息
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职业迁徙
个人简介
主要研究方向与成果
主要研究方向为功率半导体器件与功率集成电路
近几年,作为项目负责人主持国家自然科学基金面上项目、企业横向项目研究多项,涉及新型内透明集电极IGBT研制、军用和工业用VDMOSFET研发、IGBT系列产品研发、SiC MOSFET分析等。作为骨干成员参与总装预研项目、国家发改委项目、国家电网项目、企业横向项目20余项,涉及高压IGBT/高压逆导IGBT结构与制造技术研究、芯片可靠性和坚固性问题研究、抗辐照功率MOSFET设计与制造技术开发、SiC基功率MOSFET抗辐照性能研究、GaN HEMT可靠性研究、功率快恢复二极管FRD研制、智能功率模块研究等方面。发表学术论文几十篇,获北京市科技进步奖一项。
研究兴趣
论文共 97 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
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2023 5th International Conference on Power and Energy Technology (ICPET)pp.211-216, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
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IEEE Transactions on Electron Devicesno. 11 (2023): 5786-5794
Electronic Information Technology and Computer Engineeringpp.1601-1608, (2023)
International Conference on Optoelectronic Materials and Devices (ICOMD 2022) (2023)
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2023 5th International Conference on Power and Energy Technology (ICPET)pp.198-205, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
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Electronic Information Technology and Computer Engineeringpp.66-72, (2023)
2022 4th International Conference on Power and Energy Technology (ICPET)pp.242-246, (2022)
EITCEpp.498-502, (2022)
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