基本信息
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个人简介
学科方向
金春水研究员为国家科技重大专项02专项总体专家组专家,应用光学国家重点实验室极紫外光刻光学技术(EUVL, Extreme Ultra-Violet Lithography)研究方向的学术带头人,该方向继承并发展了本室在短波光学领域的特色学科优势。以极紫外/软X射线多层膜技术为根基,辐射带动了极紫外光源、极紫外光学元件检测、极紫外光学系统集成等其他极紫外成像技术发展,历时十余年,形成了极紫外光学的应用技术基础。
极紫外光刻是极紫外光学的重要应用领域,工作波长为13.5nm,适用于特征尺寸为16nm及其以下数代超大规模集成电路光刻工艺。
学科组在02国家重大科技专项的牵引下(极紫外光刻关键技术研究项目,研究经费合计2.1亿),以突破制约我国极紫外光刻发展的核心光学技术为目标,系统开展了关键技术研究,内容涵盖超高精度光学元件检测技术、膜厚控制达原子量级的极紫外多层膜技术、光学元件无应力支撑技术及衍射极限极紫外光学系统设计集成等技术。
目前极紫外光刻各项单元关键技术得到了长足发展,为我国极紫外光刻机样机研制奠定了较为坚实的技术基础和人才基础。
金春水研究员为国家科技重大专项02专项总体专家组专家,应用光学国家重点实验室极紫外光刻光学技术(EUVL, Extreme Ultra-Violet Lithography)研究方向的学术带头人,该方向继承并发展了本室在短波光学领域的特色学科优势。以极紫外/软X射线多层膜技术为根基,辐射带动了极紫外光源、极紫外光学元件检测、极紫外光学系统集成等其他极紫外成像技术发展,历时十余年,形成了极紫外光学的应用技术基础。
极紫外光刻是极紫外光学的重要应用领域,工作波长为13.5nm,适用于特征尺寸为16nm及其以下数代超大规模集成电路光刻工艺。
学科组在02国家重大科技专项的牵引下(极紫外光刻关键技术研究项目,研究经费合计2.1亿),以突破制约我国极紫外光刻发展的核心光学技术为目标,系统开展了关键技术研究,内容涵盖超高精度光学元件检测技术、膜厚控制达原子量级的极紫外多层膜技术、光学元件无应力支撑技术及衍射极限极紫外光学系统设计集成等技术。
目前极紫外光刻各项单元关键技术得到了长足发展,为我国极紫外光刻机样机研制奠定了较为坚实的技术基础和人才基础。
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Optik (2023): 171128-171128
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