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AlN/GaN MIS-HEMT with GeN Gate Dielectric for Mm-Wave Applications
Jianchao Wang, Kaiyu Wang, Ruizhe Zhang, Xiaoqiang He, Sheng Zhang, Jiaqi Guo, Jiebin Niu,Yankui Li, Weichao Wu,Weijun Luo,Xiaojuan Chen,Sen Huang,Xinhua Wang,Ke Wei,Xinyu Liu
IEEE Microwave and Wireless Technology Lettersno. 99 (2025): 1-4
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High-performance MOCVD-SiNx/AlN/GaN MIS-HEMTs with Low Noise and High Linearity for Millimeter Waves
Jing Yuan,Guan-Jun Jing, Jian-Chao Wang, Liu Wang,Run-Hua Gao,Yi -Chuan Zhang,Yi -Xu Yao,Ke Wei,Yan -Kui Li,Xiao -Juan Chen
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVESno. 2 (2024): 200-206
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Pulsed N2 Plasma Surface Treatment for AlGaN/GaN HEMTs Prior to PECVD SiNx Passivation to Reduce Plasma Damage
Kaiyu Wang,Ke Wei, Ruizhe Zhang, Sheng Zhang,Jiaqi Guo, Xiaoqiang He, Jianchao Wang,Sen Huang,Yingkui Zheng,Xiaojuan Chen,Xinhua Wang,Xinyu Liu
APPLIED PHYSICS LETTERSno. 21 (2024)
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