基本信息
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职业迁徙
个人简介
陈琳, 男, 1980年生,,教学方面担任电子技术和集成电路技术的授课工作;科研方面,目前承担南京邮电大学引进人才启动项目一项,参与国家自然科学基金面上项目和青年基金基础上各一项。
特别致力于氢化物气相外延(HVPE)技术生长GaN材料,曾使用自制氢化物气相外延(HVPE)系统,生长出国内首块2英寸自支撑氮化镓外延片。 近年来,基于宽带隙半导体的电子器件以超过30%的年增长速度发展。宽带隙半导体又称第三代半导体材料,其中以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在行业中居于基础性的领导地位。这样的成长与多种因素有密切关系,但最主要的是衬底材料的发展。为提高蓝紫光光电器件的运行效率和寿命,对同质外延衬底的需要愈加迫切。当前采用HVPE方法生长GaN厚膜并剥离的方法是获得GaN块状衬底最为可行的手段。因而近年来关于GaN体材料的HVPE制备及优化技术研究成为热点领域。 我在多年实验工作中积累了CVD设备构建、操作以及进行薄膜材料制备和表征的丰富经验。
特别致力于氢化物气相外延(HVPE)技术生长GaN材料,曾使用自制氢化物气相外延(HVPE)系统,生长出国内首块2英寸自支撑氮化镓外延片。 近年来,基于宽带隙半导体的电子器件以超过30%的年增长速度发展。宽带隙半导体又称第三代半导体材料,其中以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在行业中居于基础性的领导地位。这样的成长与多种因素有密切关系,但最主要的是衬底材料的发展。为提高蓝紫光光电器件的运行效率和寿命,对同质外延衬底的需要愈加迫切。当前采用HVPE方法生长GaN厚膜并剥离的方法是获得GaN块状衬底最为可行的手段。因而近年来关于GaN体材料的HVPE制备及优化技术研究成为热点领域。 我在多年实验工作中积累了CVD设备构建、操作以及进行薄膜材料制备和表征的丰富经验。
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Applied Catalysis A: General (2023): 119215-119215
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