基本信息
浏览量:6
职业迁徙
个人简介
主要研究兴趣是第三代宽禁带半导体材料与器件, 包括AInGaN基宽禁带材料的MOCVD外延生长、先进器件制备工艺以及单片集成模块的开发等。从事第三代宽禁带半导体GaN材料与器件研究十余年,有数项工作为世界首创及国际领先, 包括首枚硅基GaN垂直结构MOSFET及功率模块、首枚单片集成GaN智能照明芯片等, 报道了最高击穿电压及最小开启电压的硅基GaN垂直结构肖特基二极管。受邀担任十余个半导体材料与器件领域权威期刊审稿人。
研究兴趣
论文共 116 篇作者统计合作学者相似作者
按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选
时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
SOLID-STATE ELECTRONICS (2024)
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 99 (2024): 1-7
Japanese Journal of Applied Physics (2024)
Journal of Power Sources (2024)
Solid-State Electronics (2024): 108833
Materials (Basel, Switzerland)no. 13 (2023): 4569-4569
加载更多
作者统计
合作学者
合作机构
D-Core
- 合作者
- 学生
- 导师
数据免责声明
页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn