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Physical Mechanism of Device Degradation & Its Recovery Dynamics of P-Gan Gate HEMTs under Repetitive Short Circuit Stress
Chaowu Pan,Qi Zhou, Z. Wu, N. Yang, P. Bai,L. Zhu,K. Chen, W. Mei,C. Zhou,X. Ming,B. Zhang
2022 IEEE 34TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD)pp.313-316, (2022)
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