基本信息
浏览量:7
职业迁徙
个人简介
Since 2015 he is more intensively focused to boron nitride and other two-dimensional semiconductors of the III-VI family, namely InSe, GaSe and GaTe. Gil contributed to the organization of tens of international events and contributed to the launching of several series semiconductor conferences: Int.
研究兴趣
论文共 501 篇作者统计合作学者相似作者
按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选
时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
Gallium Nitride Materials and Devices XIX (2024)
Scientific reportsno. 1 (2024): 169-169
Hui Shi,Mingyuan Wang, Hongying Chen,Adrien Rousseau, Junpeng Shu,Ming Tian,Ruowang Chen, Juliette Plo,Pierre Valvin,Bernard Gil,Jiajie Qi,Qinghe Wang,
arxiv(2024)
引用0浏览0引用
0
0
Seokho Moon,Adrien Rousseau, Francis Ngome Okello Odongo,Youngjae Kim,Yunjae Park,Jiye Kim,Pierre Valvin,Jaehee Cho,Feng Ding,Jaedong Lee,Si-Young Choi,Bernard Gil,
Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXVII (2023)
引用0浏览0引用
0
0
A. Durand,T. Clua-Provost,F. Fabre, P. Kumar, J. Li,J. H. Edgar,P. Udvarhelyi, A. Gali, X. Maric,C. Robert,J. M. Gerard,B. Gil,
PHYSICAL REVIEW LETTERSno. 11 (2023): 116902-116902
引用0浏览0引用
0
0
npj Computational Materialsno. 1 (2023): 1-8
Alexandra Ibanez, Nikita Nikitskiy, Aly Zaiter,Pierre Valvin,Wilfried Desrat,Thomas Cohen,M. Ajmal Khan,Guillaume Cassabois,Hideki Hirayama,Patrice Genevet,Julien Brault,Bernard Gil
JOURNAL OF APPLIED PHYSICSno. 19 (2023)
加载更多
作者统计
合作学者
合作机构
D-Core
- 合作者
- 学生
- 导师
数据免责声明
页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn