长期从事半导体相关的研究工作，包括InP,GaAs,ZnSe,ZnO等。2006回国以来主要进行第三代半导体GaN材料与器件研究，特别是蓝绿光垂直腔面发射激光器（VCSEL）等，是大陆唯一研制出该器件的课题组负责人，并且在绿色VCSEL方面处于国际先进水平。采用量子点，将该器件的发光波长从国际上报道的503 nm延伸到了565 nm，并实现了室温连续激射，阈值电流达到国际最好；发明了利用蓝光量子阱中局域态和谐振腔模式相耦合，实现绿光VCSEL的新方法；首次在InGaN量子阱中实现了激子极化激元的室温激射;首次实现深紫外波段VCSEL(276 nm)。

至今发表论文200余篇，授权发明专利20余项。