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Scaled FinFETs Connected by Using Both Wafer Sides for Routing via Buried Power Rails
A. Veloso, A. Jourdain, D. Radisic,R. Chen,G. Arutchelvan,B. O’Sullivan, H. Arimura,M. Stucchi,A. De Keersgieter,M. Hosseini,T. Hopf, K. D’Have,
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 12 (2022): 284-285
引用6浏览0EIWOS引用
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Inspection and metrology challenges for 3 nm node devices and beyond
T. Shohjoh, M. Ikota, M. Isawa,G. F. Lorusso,N. Horiguchi,B. Briggs, H. Mertens, J. Bogdanowicz,P. De Bisschop, A.-L. Charley
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.3.3.1-3.3.4, (2021)
引用2浏览0EIWOS引用
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Comparison of Electrical Performance of Co-Integrated Forksheets and Nanosheets Transistors for the 2nm Technological Node and Beyond
R. Ritzenthaler, H. Mertens, G. Eneman, E. Simoen,E. Bury,P. Eyben, F. M. Bufler, Y. Oniki,B. Briggs, B.T. Chan,A. Hikavyy,G. Mannaert,
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.26.2.1-26.2.4, (2021)
引用7浏览0EIWOS引用
7
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Forksheet FETs for Advanced CMOS Scaling: Forksheet-Nanosheet Co-Integration and Dual Work Function Metal Gates at 17nm N-P Space
H. Mertens,R. Ritzenthaler, Y. Oniki,B. Briggs, B.T. Chan,A. Hikavyy,T. Hopf,G. Mannaert,Z. Tao, F. Sebaai,A. Peter, K. Vandersmissen,
2021 Symposium on VLSI Technologypp.1-2, (2021)
引用21浏览0EIWOS引用
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