Am Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik beschäftigt man sich mit der Erforschung von Halbleitern sowohl im Hinblick auf grundlegende physikalische Phänomene wie auch auf die Entwicklung innovativer Bauelemente. Es existieren zwei – eng miteinander verbundene – Hauptarbeitsgebiete:

Die Molekularstrahlepitaxie (MBE) zur Herstellung von Halbleiterheterostrukturen sowie die fokussierte Ionenstrahlimplantation (FIB) zur lateral aufgelösten Materialbearbeitung mittels Ionen.