А.А. Зайцев - National Research University of Electronic Technology

基本信息

浏览量：7

职业迁徙

个人简介

暂无内容

研究兴趣

论文共 13 篇作者统计合作学者相似作者

按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选

Квантово-каскадный Лазер С Частотой Генерации 3.8 THz, Выращенный Методом Металлоорганической Газофазной Эпитаксии

Т.А. Багаев,М.А. Ладугин,А.А. Мармалюк,А.И. Данилов,Д.В. Ушаков,А.А. Афоненко,А.А. Зайцев,К.В. Маремьянин,С.В. Морозов,В.И. Гавриленко,Р.Р. Галиев,А.Ю. Павлов,С.С. Пушкарев,Д.С. Пономарев,Р.А. Хабибуллин

Письма в журнал технической физикиno. 10 (2022)

引用0浏览0引用

GaN IC E-mode p-channel and n-channel transistors simulation

V. I. Egorkin,V. E. Zemlyakov,A. A. Zaitsev, O. B. Chukanova

ST PETERSBURG POLYTECHNIC UNIVERSITY JOURNAL-PHYSICS AND MATHEMATICSno. 3 (2022): 134-137

引用0浏览0引用

Temperature Stability Features of Ohmic Contacts Resistance to GaAs and GaN Based Nanoheterostructures

Egorkin V.I.,Zemlyakov V.E.,Nezhentsev A.V.,Zaitsev A.A.,Garmash V.I.

Semiconductors（2022）

引用0浏览0引用

Квантово-каскадный Лазер На 3.3 ТГц На Основе Активного Модуля Из Трех Квантовых Ям GaAs/AlGaAs С Рабочей Температурой >120 K

Р.А. Хабибуллин,К.В. Маремьянин,Д.С. Пономарев,Р.Р. Галиев,А.А. Зайцев,А.И. Данилов,И.С. Васильевский,А.Н. Виниченко,А.Н. Клочков,А.А. Афоненко,Д.В. Ушаков,С.В. Морозов,В.И. Гавриленко

Физика и техника полупроводниковno. 11 (2021)

引用0浏览0引用

Особенности Температурной Стабильности Сопротивления Омических Контактов К Наногетероструктурам На Основе GaAs И GaN

В.И. Егоркин,В.Е. Земляков,А.В. Неженцев,А.А. Зайцев,В.И. Гармаш

Физика и техника полупроводниковno. 12 (2021)

引用0浏览0引用

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СВЕРХВЫСОКООМНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 ММ ДЛЯ РОСТА GA(AL) N-СОЕДИНЕНИЙ МЕТОДОМ МОГФЭ

С.Д. Федотов,В.В. Лундин,Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников,Е.М. Соколов,В.Н. Стаценко,В.И. Егоркин,В.Е. Земляков,А.А. Зайцев, О.Б. Чуканова

Nanoindustry Russiano. 7s (2021): 197-200

引用1浏览0引用

Normally-Off P -Gate Transistor Based on AlGaN/GaN Heterostructures

Egorkin V. I.,Bespalov V. A.,Zaitsev A. A.,Zemlyakov V. E.,Kapaev V. V.,Kukhtyaeva O. B.

Semiconductors（2021）

引用0浏览0引用

Исследование Ионной Имплантации Азота Через Слой Нитрида Кремния Для Межприборной Изоляции Силовых GaN/Si-транзисторов

В.И. Егоркин,С.В. Оболенский,В.Е. Земляков,А.А. Зайцев,В.И. Гармаш

Письма в журнал технической физикиno. 18 (2021)

引用0浏览0引用

Исследование Морфологии Поверхности, Электрофизических Характеристик И Спектров Фотолюминесценции Эпитаксиальных Плёнок GaAs На Подложках GaAs (110)

Г.Б. Галиев,Е.А. Климов,А.А. Зайцев,С.С. Пушкарев,А.Н. Клочков

Журнал технической физикиno. 7 (2020)

引用1浏览0引用

Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors

T. V. Malin,D. S. Milakhin,I. A. Aleksandrov,V. E. Zemlyakov,V. I. Egorkin,A. A. Zaitsev,D. Yu. Protasov,A. S. Kozhukhov,B. Ya. Ber,D. Yu. Kazantsev,V. G. Mansurov,K. S. Zhuravlev

Technical Physics Letters（2019）

引用5浏览0引用

加载更多

作者统计

合作学者

合作机构

D-Core

合作者
学生
导师

暂无相似学者，你可以通过学者研究领域进行搜索筛选

数据免责声明

页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果，我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问，可以通过电子邮件方式联系我们：report@aminer.cn